العناصر الالكترونية ..

تركيب الثنائي : الثنائي عنصر إليكتروني يحتوي على طرفين (المصعد والمهبط)، يسمح الثنائي بمرور التيار الكهربي في اتجاه واحد وذلك عندما يكون جهد المصعد موجب بالنسبة للمهبط (توصيل أمامي)، ولا يمر إلا تيار ضئيل جداَ عندما يكون جهد المصعد سالباَ بالنسبة للمهبط (توصيل عكسي)، وهكذا يمكن اعتبار الديود كمفتاح جهد يوصل في أحد الاتجاهات ولا يوصل في الاتجاه الآخر . يتكون الثنائي من شريحتين من مواد نصف ناقلة، إحداهما سالبة والأخرى موجبة. يفصل الشريحة الموجبة (P) والتي تحتوي على الفجوات الموجبة كحاملات للشحنة، عن الشريحة السالبة (N) والتي تحتوي على الالكترونات السالبة كحاملات للشحنة، بمنطقة فاصلة تدعى المنطقة المجردة، وتشير الأسهم الموضحة إلى اتجاه حركة كل من تيار الفجوات وتيار الإلكترونات.
الشكل الخارجي للثنائي:	رمز الثنائي : تجد دائماً خط دائري حول الثنائي وهي علامة توضيحية تدل على مسار التيار من المصعد إلى المهبط
خواص الثنائي : يمرر الثنائي تياراً عندما يكون موصلاً  في الاتجاه الأمامي، ولا يمرر تياراً عندما يكون موصلاً في الاتجاه العكسي.   ويوضح الشكل منحنى خواص الثنائي في الحالتين والذي يمكن إيجازه في النقاط التالية : يمرر التيار الكهربائي: -   يسمح الثنائي للتيار بالمرور في الاتجاه الأمامي عندما يتعدى الجهد الأمامي ما يسمى بالجهد الحاجز والذي يبدأ بعده الثنائي في التوصيل، وتكون قيمتا الجهد الحاجز 0.7 فولت في ثنائيات السليكون و 0.3 فولت في ثنائيات الجرمانيوم .   لا يمرر التيار الكهربائي : -   الجزء السفلي من المنحنى يمثل حالة التوصيل العكسي حيث يبقى التيار تقريبا مساويا للصفر إلى أن يصل الجهد إلى جهد الانهيار حيث يمر تيار عكسي شديد إذا لم يحد يمكنه أن يتلف الثنائي .

ثنائي الجرمانيوم Ge Diode: هو الثنائي المصنوع من الجرمانيوم ومحقون بشوائب تكون ذات بلورة موجبة مع شوائب أخرى تكون ذات بلورة سالبة، بحيث تكون البلورتان الموجبة والسالبة متجاورتين. ثنائي السليكون Se Diode: هو الثنائي المصنوع من السليكون ومحقون بشوائب تكون ذات بلورة موجبة مع شوائب أخرى تكون ذات بلورة سالبة، بحيث تكون البلورتان الموجبة ولسالبة متجاورتين .
هذا ثنائي الجرمانيوم  من القطع المشهورة وتستعمل دائما في دوائر القدرة مثل دوائر التقويم Bridge ومن أشهرها (1N4001) والخط الفضي دائما يدل على المهبط.
Diode Maximum Current Maximum Reverse Voltage 1N4001 1A 50V 1N4002 1A 100V 1N4007 1A 1000V 1N5401 3A 100V 1N5408 3A 1000V جدول يبين مواصفات بعض الثنائيات الشائعة الاستخدام					دارة الحماية بواسطة الثنائي
ثنائي زينر: منحنى خصائص ثنائي الزينر : يعمل الزينر كثنائي عادي إذا إذا تم توصيله أمامياً أما إذا وصل توصيلاً عكسياً فانه عند قيمة معينة في الجهد العكسي سوف يزداد التيار العكسي بصورة مفاجئة وشديدة، ويسمى الجهد العكسي الذي يتسبب في حدوث تيار عكسي "جهد الانهيار" أو "جهد الزينر" ، ويعتمد جهد الانهيار أو جهد الزينر أساساً على كمية الشوائب التي طعمت بها المادة التي صنع منها ثنائي الزينر . . والنقاط التالية جديرة بالذكر: يُستغل جهد الانهيار العكسي لثنائي الزينر كجهد مرجعي في دوائر تثبيت الجهد . يوصل ثنائي الزينر دائما عكسياً أما إذا وصل توصيلاً أمامياً فان خواصه تكون مثل الثنائي العادي. عند دخول ثنائي الزينر منطقة الانهيار فإنه لن يتلف أو يحترق حيث أن الدارة الخارجية الموصلة به تحد التيار ليكون أقل من القيمة التي تسبب تلفه .
تنظيم الجهد بواسطة ثنائي زينر : يوضح الشكل دائرة بسيطة تشرح كيفية استخدام ثنائي الزينر في تنظيم الجهد  . المقاومة R تحد من قيمة التيار، جهد الخرج ثابت ويساوي جهد انهيار الزينر، بغض النظر عن تغير جهد الدخل أو تغير التيار المسحوب بواسطة الحمل .
Example: output voltage required is 5V, output current required is 60mA. Vz = 4.7V (nearest value available) Vs = 8V (it must be a few volts greater than Vz) Imax = 66mA (output current plus 10%) Pz > 4.7V × 66mA = 310mW, choose Pz = 400mW R = (8V - 4.7V) / 66mA = 0.05k = 50, choose R = 47 Resistor power rating P > (8V - 4.7V) × 66mA = 218mW, choose P = 0.5W
دارة تنظيم تستخدم ثنائي زينر: نحن نعلم أن ثنائي زينر يستخدم في التوصيل العكسي لتثبيت الكمون ، فعندما يكون فرق الكمون بين طرفيه أقل من الكمون زينر (كمون الانهيار) يكون فرق الكمون بين طرفي مقاومة الحمل معطى بالعلاقة: Rv. I - VL = Vz = Vs - Vrv = Vs I = IL +IZ حيث : IL : تيار الحمل . : IZالتيار المار في ثنائي الزينر ويساوي في هذه الحالة الصفر . VL = Vs – ( IL+ Iz ) Rv VL = Vs – IL . Rv ومع ازدياد الكمون الداخل يزداد فرق الكمون بين طرفي ثنائي الزينر حتى يصبح مساوياً إلى كمون زينر ( كمون الانهيار VZ) فعندها يمر تيار عكسي (IZ) في الزينر ، ويزداد التيار العكسي بازدياد فرق الكمون المطبق على ثنائي زينر ، لذلك يبقى فرق الكمون بين طرفي ثنائي الزينر مساوياً للكمون المطبق زينر ، ويساوي هذا الكمون فرق الكمون بين طرفي مقاومة الحمل ويعطى بالعلاقة : + IZ ) RV VL = VS – ( IL تستخدم المقاومة (RV ) لحماية ثنائي الزينر من التلف وذلك بالحد من التيار الأعظمي الذي يمر فيه وذلك عند تغير كمون الداخل بين أقل وأعلى قيمة له . من أهم مساوئ دارة تنظيم الكمون بواسطة ثنائي الزينر هو عدم إمكانية تنظيم الكمونات التي تقل عن كمون زينر ..
ثنائى الانبعاث الضوئي Light Emitting Diode (LED) : يشع الضوء عندما يثار بإشارة كهربائية. ويوصل ثنائي الانبعاث الضوئي كما في الشكل في الاتجاه الأمامي وتعتمد نظرية عمل هذا الثنائي على أن الطاقة الكهربائية المعطاة له بالتوصيل الأمامي تعمل على تحريك حاملات الشحنة مما يؤدي إلى توليد فوتونات حرة تنبعث في كل الاتجاهات مسببة إشعاع الضوء . وتوصل دائما مقاومة قيمتها مابين 680 أوم إلى 1 كيلو أوم لتحمي الثنائي الباعث للضوء LED.
الثنائي ثلاثي الألوان : وهو مبين في الشكل جانباً .. حيث أنه يصدر الألوان (الأحمر والأخضر والأصفر) .. وهو في داخله يتكون من لدين (أحمر وأخضر) وعند اشتعال الاثنين معاً يعطي لوناً ثالثاً وهو الأصفر .. النقطة الوسطى هي المهبط المشترك و(a1) للون الأحمر و(a2) للون الأخضر ..
							R = (VS - VL) / I
Type Colour IF max. VF typ. VF max. VR max. Luminous intensity Viewing angle Wavelength Standard Red 30mA 1.7V 2.1V 5V 5mcd @ 10mA 60° 660nm Standard Bright red 30mA 2.0V 2.5V 5V 80mcd @ 10mA 60° 625nm Standard Yellow 30mA 2.1V 2.5V 5V 32mcd @ 10mA 60° 590nm Standard Green 25mA 2.2V 2.5V 5V 32mcd @ 10mA 60° 565nm High intensity Blue 30mA 4.5V 5.5V 5V 60mcd @ 20mA 50° 430nm Super bright Red 30mA 1.85V 2.5V 5V 500mcd @ 20mA 60° 660nm Low current Red 30mA 1.7V 2.0V 5V 5mcd @ 2mA 60° 625nm IF max : التيار الأعظمي الأمامي المار في الثنائي .. VF typ : الجهد الأمامي النموذجي من اجل تشغيل الثنائي .. VF max : الجهد الأمامي الأعظمي الذي يمكن للثنائي أن يتحمله .. VF max : الجهد العكسي الأعظمي الذي يمكن للثنائي أن يتحمله .. Luminous intensity : شدة السطوع للثنائي mcd = millicandela .. Viewing angle : زاوية انعكاس الرؤية للإضاءة .. Wavelength : طول موجة الضوء الصادر nm = nanometer ..
الثنائي الضوئي Diode Photo: يتكون الثنائي الضوئي من شبه موصل موجب P وآخر سالب N ونافذة شفافة منفذة للضوء كما يتضح من الشكل. عندما يسقط الضوء على الثنائي الضوئي، يقوم الضوء بكسر الروابط البلورية ويتحرر عدد من الشحنات التي تسمى بـشحنات الأقلية، ويزداد هذا العدد بزيادة الضوء الساقط مكوناً تياراً يسمى بتيار التسريب ويستخدم في الدارات الالكترونية .							يوصل الثنائي الضوئي توصيلاً عكسياً كما في الشكل :
الثنائي السعوي Varactor : تستخدم الثنائيات السعوية كمكثفات متغيرة اعتماداً على الجهد الواقع عليها. والثنائي السعوي أساساً عبارة عن وصلة ثنائية PN)) من السيليسيوم موصلة في الاتجاه العكسي وذلك كما في الشكل . وتلعب السعة الذاتية التي تتشكل في منطقة الكمون الحاجز دوراً كبيراً في استخدام الثنائي السعوي، وقد تصل قيمة السعة الذاتية إلى (2500 pF ) . يلعب الكمون العكسي المطبق من منبع خارجي الدور الرئيسي في تحديد قيمة السعة الذاتية، فمع ازدياده تزداد سماكة منطقة الكمون الحاجز (d) فتنقص السعة الذاتيةcd) ). إن السعة الذاتية (cd) تتناقص بازدياد الكمون العكسي المطبق، ويجب ملاحظة عدم الوصول إلى كمون الانهيار العكسي و إلا تلف الثنائي السعوي. تتأثر قيمة السعة الذاتية (cd) بارتفاع درجة الحرارة حيث تزداد مع صغر الكمون العكسي المطبق وتقل مع كبره. تستخدم الثنائيات السعوية في دارات رنين أجهزة الاستقبال العاملة على التعديل الترددي (FM) وفي دارات الترددات فوق العالية (UHF) وخاصة في أجهزة التلفزيون كما يمكن استخدامه كأي ثنائي عادي .
ثنائي شوتكي : هذه الثنائيات تُستَعملُ لتقويم التيار المتناوبِ إلى التيارِ المستمر . وذلك عندما يكون ترددَ التيار المتناوبِ عالي جدا ً .
الثنائي النفقي Tunnel diodes : يصنع الثنائي النفقي بشكل عام من الجرمانيوم وتكون مساحة الوصلة في منطقة الكمون الحاجز صغيرة . يتصرف الثنائي النفقي في التوصيل العكسي تماماً كالثنائي العادي ، أما في التوصيل العكسي فانه يتصرف بطريقة مختلفة يبينها منحني الخواص . ضمن مجال محدد يتناقص التيار الأمامي مع ازدياد الكمون الأمامي المطبق أي أن الثنائي النفقي يبدي مقاومة سالبة ضمن هذا المجال المحدد . يستخدم الثنائي النفقي كثيراً في دارات المذبذبات ذات الترددات العالية جداً ويكون دائماً في التوصيل الأمامي ، وتراعى كثيراً قيمة الكمون العكسي المطبق للحصول على مقاومة سالبة .

General Diode	Zener Diode	Tunnel Diode	Schotky Diode	Varactor Diode	Gun Diode	Light Emitting Diode LED	Photo Diode	Photo Diode
ثنائي عام	ثنائي الزينر	ثنائي النفق	ثنائي شوتكي	ثنائي سعوي	ثنائي جان	ثنائي مشع	ثنائي ضوئي	ثنائي ضوئي

Single diode rectifier	Output: half-wave varying DC

Transformer + Rectifier
Transformer + Rectifier + Smoothing
Transformer + Rectifier + Smoothing + Regulator

دارة تقويم موجة كاملة جسرية	دارة تقويم موجة كاملة نقطة مشتركة	دارة تقويم نصف موجة

1- الترانزستور PNP : يحتوى الترانزستور PNP على ثلاثة طبقات، اثنتان موجبتان P وبينهما طبقة سالبة N ليتكون بذلك الترانزستور PNP .	شكل الترانزستور PNP
2- الترانزستور NPN : يحتوى الترانزستور NPN على ثلاثة طبقات اثنتان سالبتان N وبينهما واحدة موجبة P ليتكون بذلك الترانزستور NPN .	شكل الترانزستور NPN

1-	المشع Emitter : وهو الجزء المختص بإمداد حاملات الشحنة وهي الفجوات في حالة الترانزستور PNP والالكترونات في الترانزستور NPN ويوصل المشع أماميا (forward) بالنسبة للقاعدة وبذلك فهو يعطي كمية كبيرة من حاملات الشحنة عند توصيلة .
2-	المجمع Collector : ويختص هذا الجزء من الترانزستور بتجميع حاملات الشحنة القادمة من المشع، ويوصل عكسيا (reverse) مع القاعدة .
3-	القاعدة Base : وهي عبارة عن الجزء الأوسط بين المشع والمجمع ويوصل أماميا (forward) مع المشع، وعكسيا (reverse) مع المجمع .

[th][/th]

هناك رمزين للترانزستور والسهم يدل على نوعه كما بالشكل: يدل السهم على نوع الترانزستور فالسهم الخارج يدل على ترانزستور NPN ، والداخل يدل على ترانزستور PNP
				PNP	NPN
ترانزستور عادي			ترانزستور معدني

القاعدة المشتركة Common Base: يتم توصيل إشارة الدخل بين المشع والقاعدة Emitter and Base ، وتوصل إشارة الخرج بين المجمع  والقاعدة Collector and Base ويلاحظ أن طرف القاعدة Base مشتركاً بين الدخل والخرج ، ولهذا سميت طريقة التوصيل هذه بالقاعدة المشتركة Common Base .
المشع المشترك Common Emitter: توصل إشارة الدخل بين القاعدة والمشع Emitter and Base ، وتوصل إشارة الخرج بين المجمع والمشع Base and Emitter ويلاحظ أن طرف المشع Emitter مشتركا بين الدخل والخرج ، ولهذا سميت طريقة التوصيل هذه بالمشع المشترك Common Emitter. الشكل يبين ترانزستور موصل بطريقة المشع المشترك Common Emitter
المجمع المشترك Common Collector: توصل إشارة الدخل بين القاعدة والمجمع Collector and Base، وتوصل إشارة الخرج بين المشع والمجمع Base and Emitter ويلاحظ أن طرف المجمع Collector مشتركا بين الدخل والخرج ، ولهذا سميت طريقة التوصيل هذه بالمجمع المشترك.

طبقة القاعدة Base في الترانزستور تكون رقيقة جدا يليها المشع Emitter أكبرهم المجمع Collector .	الشكل يبين اتجاهات التيار (الفجوات) في الترانزستور NPN
يكون المشع Emitter مشبعا بحاملات الشحنة بحيث يمكنه إمداد عدداََ هائلا منها أما القاعدة Base فتكون خفيفة التشبع وتعمل على إمرار غالبية الشحنات القادمة من المشع Emitter إلى المجمع Collector ويكون المجمع متوسط التشبع .
وصلة المشع مع القاعدة Emitter-Base تكون أمامية Forward دائما أما وصلة المجمع مع القاعدة Collector-Base فتكون عكســـية Reverse .
يتميز المشع Emitter عن بقية أطراف الترانزستور بوجود سهم علية ، يشير السهم إلى اتجاه التيار ( الفجوات ) ، ففي نوع PNP نجد أن التيار (الفجوات ) يتدفق خارجاََ من المشع Emitter أما في النوع NPN نجد أن التيار يتجه داخلا الى المشع Emitter .

المسار الأول : المجمع Collector – المشع Emitter. فإذا سلط فرق جهد بين مجمع Collector ومشع Emitter ترانزستور من النوع PNP بحيث يكون المجمع Collector موجبا بالنسبة للمشع Emitter وتركت دائرة القاعدة Base – المشع Emitter مفتوحة فسوف لا يمر تيار لا في دائرة المجمع Collector – المشع Emitter ولا في دائرة القاعدة Base – المشع Emitter .

المسار الثاني :  القاعدة Base – المشع Emitter. إذا سلط جهد انحياز أمامي على دائرة القاعدة Base – المشع Emitter قيمته (0,7) فولت فان عدد من الالكترونات تترك المشع Emitter بسبب جهد الانحياز الأمامي بين القاعدة Base والمشع Emitter متجهة نحو القاعدة Base . وحيث أن القاعدة Base غير مشبعة بالشحنات ورقيقة جدا (1000 1 من الميلي متر ) ، لذلك فان عدد الالكترونات التي تتحد بالفجوات في القاعدة Base يكون قليلا جدا لا يتعدى 1 % من الكترونات المشع Emitter التي تتجه نحو القاعدة Base.

الدوائر الأساسية للمكبرات

• مضخمات التردد المستمر ( أي التردد الصفري)
  
  
• مضخمات الترددات السمعية ( 20 HZ to 20 KHZ ) و يرمز لها AF
  
  
• مضخمات الترددات الفيديوية والنبضية ( تصل حتى بضعة ميعا هرتز ) و يرمز لها VF
  
  
• مضخمات التردد الراديو ( KHZ TO HUNDRED OF MHZ ) و يرمز لها RF
  
  
• مضخمات الترددات فوق العالية ( مئات أو آلاف MHZ ) و يرمز لها UHF
  
  

• بسبب النماذج المتنوعة للتشويه التي يمكن أن تظهر .
  
  
• بسبب عدم الخطية المتأصلة في ميزات الترانزستور .
  
  
• بسبب تأثير الدارة المتعلقة بالمضخم .
  
  

1. NPN : ويكون سهم الباعث متجه نحو الخارج .
   
   
2. PNP : ويكون سهم الباعث نحو الداخل .
   
   

• بين القاعدة وكل من المجمع والباعث مقاومة منخفضة / في حال التوصيل الأمامي / أي يؤشر المؤشر أما إذا عكسنا الأقطاب فيشير إلى مقاومة لا نهائية أي لا يؤشر المؤشر .
  
  
• بين الباعث و المجمع مقاومة مرتفعة في كلا الحالتين ..
  
  

• إذا كان القطب الموجب للمقياس موجوداً على القاعدة عندما تعطي مقاومة منخفضة مع المجمع والباعث فالترانزستور نوع (NPN) ..
  
  
• أما إذا كان القطب السالب للمقياس موجوداً على القاعدة عندما تعطي مقاومة منخفضة مع المجمع والباعث فالترانزستور نوع (PNP) ..
  
  

• يوجد لدينا نوع من الترانزستورات المعدنية مثلاً (BC140 أو BC107 ) يكون فيها الطرف الذي يحوي نتوء هو المشع ، والطرف الموصول مع الجسم هو المجمع ، والطرف الثالث هو القاعدة ..
  
  
• الترانزستور الضوئي يكون له مجمع و باعث ونافذة ضوئية ، فالمجمع هو الذي وصل مع الجسم إن كان معدنياً ..
  
  
• يوجد نوع من الترانزستورات المعدنية يحوي على طرفان هما الباعث و القاعدة أما المجمع فيكون هو جسم الترانزستور المعدني كالترانزستور (2N3055) ..
  
  

NPN transistors
Code		Structure	Case style	IC max	VCE max	hFE min	Ptot max	Category (typical use)	Possible substitutes
BC107		NPN	TO18	100mA	45V	110	300mW	Audio, low power	BC182 BC547
BC108		NPN	TO18	100mA	20V	110	300mW	General purpose, low power	BC108C BC183 BC548
BC108C		NPN	TO18	100mA	20V	420	600mW	General purpose, low power
BC109		NPN	TO18	200mA	20V	200	300mW	Audio (low noise), low power	BC184 BC549
BC182		NPN	TO92C	100mA	50V	100	350mW	General purpose, low power	BC107 BC182L
BC182L		NPN	TO92A	100mA	50V	100	350mW	General purpose, low power	BC107 BC182
BC547B		NPN	TO92C	100mA	45V	200	500mW	Audio, low power	BC107B
BC548B		NPN	TO92C	100mA	30V	220	500mW	General purpose, low power	BC108B
BC549B		NPN	TO92C	100mA	30V	240	625mW	Audio (low noise), low power	BC109
2N3053		NPN	TO39	700mA	40V	50	500mW	General purpose, low power	BFY51
BFY51		NPN	TO39	1A	30V	40	800mW	General purpose, medium power	BC639
BC639		NPN	TO92A	1A	80V	40	800mW	General purpose, medium power	BFY51
TIP29A		NPN	TO220	1A	60V	40	30W	General purpose, high power
TIP31A		NPN	TO220	3A	60V	10	40W	General purpose, high power	TIP31C TIP41A
TIP31C		NPN	TO220	3A	100V	10	40W	General purpose, high power	TIP31A TIP41A
TIP41A		NPN	TO220	6A	60V	15	65W	General purpose, high power
2N3055		NPN	TO3	15A	60V	20	117W	General purpose, high power
PNP transistors
Code	Structure		Case style	IC max	VCE max	hFE min	Ptot max	Category (typical use)	Possible substitutes
BC177	PNP		TO18	100mA	45V	125	300mW	Audio, low power	BC477
BC178	PNP		TO18	200mA	25V	120	600mW	General purpose, low power	BC478
BC179	PNP		TO18	200mA	20V	180	600mW	Audio (low noise), low power
BC477	PNP		TO18	150mA	80V	125	360mW	Audio, low power	BC177
BC478	PNP		TO18	150mA	40V	125	360mW	General purpose, low power	BC178
TIP32A	PNP		TO220	3A	60V	25	40W	General purpose, high power	TIP32C

• For TR1 use BC548B with h_FE1 = 220.
  
  
• For TR2 use BC639 with h_FE2 = 40.
  
  

1. The transistor's maximum collector current I_C(max) must be greater than the load current I_C.

   load current IC =	supply voltage Vs
   	load resistance RL

   
   
2. The transistor's minimum current gain h_FE(min) must be at least five times the load current I_C divided by the maximum output current from the chip.

   hFE(min)  >   5 ×	load current IC
   	max. chip current

   
   
3. Choose a transistor which meets these requirements and make a note of its properties: I_C(max) and h_FE(min).
   
   

1. Calculate an approximate value for the base resistor:

   RB = 0.2 × RL × hFE   or   RB =	Vs × hFE
   	5 × IC

   
   
2. and choose the nearest standard value.
   
   

1. Finally, remember that if the load is a motor or relay coil a protection diode is required.
   
   

1. Load current = V_s/R_L = 6/100 = 0.06A = 60mA, so transistor must have I_C(max) > 60mA.
   
   
2. The maximum current from the chip is 5mA, so transistor must have h_FE(min) > 60 (5 × 60mA/5mA).
   
   
3. Choose general purpose low power transistor BC182 with I_C(max) = 100mA and h_FE(min) = 100.
   
   
4. R_B = 0.2 × R_L × h_FE = 0.2 × 100 × 100 = 2000. so choose R_B = 1k8 or 2k2.
   
   
5. The relay coil requires a protection diode.
   
   

NPN transistor switch (load is on when chip output is high)

PNP transistor switch (load is on when chip output is low)

• مقاومة (RB1) تتشكل من القسم بين المشع (E) والقاعدة (B1) .
  
  
• مقاومة (RB2) تتشكل من القسم بين المشع (E) والقاعدة (B2) .
  
  
• ثنائي بين المشع (E) الذي يشكل المنطقة (B) للثنائي وجسم الترانزيستور الذي يشكل المنطقة (N) للثنائي .
  
  

1. كمون المشع (E) أصغر من (VB1) : تصبح الوصلة بين (E) و (B1) في حالة توصيل عكسي ويمر في الوصلة تيار تسريب صغير وتصبح المقاومة بين القاعدتين كبيرة .
   
   
2. كمون المشع (E) أكبر من (VB1) : تصبح الوصلة بين (E) و (B1) في حالة توصيل أمامي ويمر تيار كبير من الفراغات من المنطقة (P) باتجاه المنطقة (N) ومن الالكترونات الحرة من المنطقة (N) باتجاه المنطقة (P) فتصغر بذلك المقاومة بين القاعدتين كثيراً ، لذلك يمكن اعتبار الوصلة بين المشع ((E والقاعدة ((B1 مقاومة متغيرة تعتمد في قيمتها على انحياز (استقطاب) المشع .
   
   

1. يستخدم ثنائي رباعي الطبقات كمفتح لتيار المتناوب ذو اتجاه واحد ، إذ عندما يصبح فرق الكمون بين طرفيه مساوياً Vs يفتح ويمرر تيار في الاتجاه الأمامي ، ويكون مغلقاً في الاتجاه المعاكس .
   
   
2. يستخدم في دارات توليد الإشارات الأبرية والمثلثية والنبضية في دارات التحكم .
   
   

1. يستخدم كمفتاح للتيار المتناوب باتجاهين .
   
   
2. يستخدم في دارات التحكم الالكتروني كعنصر مساعد للتحكم في إقلاع الثايرستور والترياك .
   
   
3. يستخدم في دارات توليد النبضات .
   
   

• تطبيق نبضة قدح 2 فولت على البوابة
  
  
• رفع الجهد على طرفيه إلى قيمة أكبر من جهد الفتح
  
  
• التغير السريع في الجهد بين المصعد و المهبط .
  
  
• زيادة درجة الحرارة .
  
  

• فصل التغذية نهائيا عن أقطابه .
  
  
• قصر المصعد و المهبط بواسطة مقاومة وصل .
  
  
• تطبيق نبضة قدح معاكسة للنبضة السابقة .
  
  

• يتحمل الاهتزازات القوية والضجيج بعكس القاطع الآلي .
  
  
• عند فصله ووصله لا يصدر أي شرارة كهربائية .
  
  
• لا يصدر أي صوت .
  
  
• سرعات عالية جداً تصل حتى النانو ثانية وخاصة في المبدلات الترددية .
  
  
• تحمل جهود كبيرة وتيارات عالية تصل حتى 2000 أمبير مع العلم أن حجمه صغير .
  
  
• سهولة التحكم به وذلك عن طريق نبضة قدح .
  
  

1. استطاع SCR بنجاح إن يحل محل الصمام الالكتروني الثلاثي والصمام المفرغ أو ترانزستور الاستطاعة في الدارات الالكترونية .
   
   
2. في الدارات الكهرومغناطيسية حل SCR محل كل أنواع المفاتيح والزواجل والمقاومات المتغيرة .
   
   
3. في دارات الحماية حل محل الفواصم وقواطع الدارة .
   
   
4. حل محل المضخمات المغناطيسية في دارات تضخيم الاستطاعة .
   
   
5. ولاشك إن الاستخدام الرئيسي لـ SCR اليوم في حقول التحكم بالطاقة وأيضا كعنصر تفرعي أو تسلسلي , وتكمن أفضليته في المردود العالي الناتج عن التبديد المنخفض للطاقة ... مثل : التحكم بالطاقة المقدمة لتسخين العناصر , تعيين سرعة الموتورات الكهربائية , تعتيم الضوء , الخ.......
   
   

• أحد عيوب الثايرستور أنه عند الانتقال إلى الإشباع لا يمكن التحكم فيه وبالتالي لا يمكن إيقاف تمريره للتيار إلاّ عند انخفاض التيار المار فيه إلى الصفر وعندها يقطع ، فنلجأ عادةً إلى دارة مساعدة (عادة مؤلفة من مكثفة و مقاومة) تقوم هذه الدارة بتمرير التيار باتجاه معاكس وبالتالي قطع الثايرستور.
  
  
• تتميز الثايرستورات باستطاعتها الكبيرة وتحملها للتيارات الكبيرة فلذلك تستخدم في التطبيقات الصناعية والتي تحتاج إلى استطاعات كبيرة.
  
  

• بين G , K : يمرر في الاتجاه الأمامي ولا يمر في الاتجاه العكسي .
  
  
• بين K , A : لا يمرر في الاتجاهين .
  
  
• بين G , K : لا يمرر في الاتجاهين .